<< Chapter < Page Chapter >> Page >

Như vây ta nhận thấy:

- Dòng đỉnh IP là dòng tối thiểu của cực phát E để đặt UJT hoạt động trong vùng điện trở âm. Dòng điện thung lũng IV là dòng điện tối đa của IE trong vùng điện trở âm.

- Tương tự, điện thế đỉnh VP là điện thế thung lũng VV là điện thế tối đa và tối thiểu của VEB1 đặt UJT trong vùng điện trở âm.

Trong các ứng dụng của UJT, người ta cho UJT hoạt động trong vùng điện trở âm, muốn vậy, ta phải xác định điện trở RE để IP<IE<IV

Q

VEB1IE0VEB1IE0IPIVVVVPVBB>VPREmaxREminHình 27Thí dụ trong mạch sau đây, ta xác định trị số tối đa và tối thiểu của RE

Ta có: R E max = ΔV ΔI = V BB V P 0 I P = V BB V P I P size 12{R rSub { size 8{E"max"} } = - { {ΔV} over {ΔI} } = - { {V rSub { size 8{ ital "BB"} } - V rSub { size 8{P} } } over {0 - I rSub { size 8{P} } } } = { {V rSub { size 8{ ital "BB"} } - V rSub { size 8{P} } } over {I rSub { size 8{P} } } } } {}

R E min = ΔV ΔI = V BB V V 0 IV = V BB V V I V size 12{R rSub { size 8{E"min"} } = - { {ΔV} over {ΔI} } = - { {V rSub { size 8{ ital "BB"} } - V rSub { size 8{V} } } over {0 - ital "IV"} } = { {V rSub { size 8{ ital "BB"} } - V rSub { size 8{V} } } over {I rSub { size 8{V} } } } } {}

Như vậy: V BB V V I V R E V BB V P I P size 12{ { {V rSub { size 8{ ital "BB"} } - V rSub { size 8{V} } } over {I rSub { size 8{V} } } }<= R rSub { size 8{E} }<= { {V rSub { size 8{ ital "BB"} } - V rSub { size 8{P} } } over {I rSub { size 8{P} } } } } {}

Các thông số kỹ thuật của ujt và vấn đề ổn định nhiệt cho đỉnh:

Sau đây là các thông số của UJT:

- Điện trở liên nền RBB: là điện trở giữa hai cực nên khi cực phát để hở. RBB tăng khi nhiệt độ tăng theo hệ số 0,8%/1oC

- Tỉ số nội tại: η = R B1 R B1 + R B2 = R B1 R BB size 12{η= { {R rSub { size 8{B1} } } over {R rSub { size 8{B1} } +R rSub { size 8{B2} } } } = { {R rSub { size 8{B1} } } over {R rSub { size 8{ ital "BB"} } } } } {} Tỉ số này cũng được định nghĩa khi cực phát E để hở.

- Điện thế đỉnh VP và dòng điện đỉnh IP. VP giảm khi nhiệt độ tăng vì điện thế ngưỡng của nối PN giảm khi nhiệt độ tăng. Dòng IP giảm khi VBB tăng.

- Điện thế thung lũng VV và dòng điện thung lũng IV. Cả VV và IV đều tăng khi VBB tăng.

- Điện thế cực phát bảo hòa VEsat: là hiệu điện thế giữa cực phát E và cực nền B1 được đo ở IE=10mA hay hơn và VBB ở 10V. Trị số thông thường của VEsat là 4 volt (lớn hơn nhiều so với diod thường).

Ổn định nhiệt cho đỉnh: Điện thế đỉnh VP là thông số quan trọng nhất của UJT. Như đã thấy, sự thay đổi của điện thế đỉnh VP chủ yếu là do điện thế ngưỡng của nối PN vì tỉ số  thay đổi không đáng kể.

Hình 28Người ta ổn định nhiệt cho VP bằng cách thêm một điện trở nhỏ R2 (thường khoảng vài trăm ohm) giữa nền B2 và nguồn VBB. Ngoài ra người ta cũng mắc một điện trở nhỏ R1 cũng khoảng vài trăm ohm ở cực nền B1 để lấy tín hiệu ra.

Khi nhiệt độ tăng, điện trở liên nền RBB tăng nên điện thế liên nền VB2B1 tăng. Chọn R2 sao cho sự tăng của VB2B1 bù trừ sự giảm của điện thế ngưỡng của nối PN. Trị của R2 được chọn gần đúng theo công thức: R 2 ( 0,4 0,8 ) R BB ηV BB size 12{R rSub { size 8{2} } approx { { \( 0,4 rightarrow 0,8 \) R rSub { size 8{ ital "BB"} } } over {ηV rSub { size 8{ ital "BB"} } } } } {}

Ngoài ra R2 còn phụ thuộc vào cấu tạo của UJT. Trị chọn theo thực nghiệm khoảng vài trăm ohm.

Ứng dụng đơn giản của ujt:

Mạch dao động thư giãn (relaxation oscillator)

VEtVC1 = VP0C1 nạpC1 xã (rất nhanh)VB2VB1VEtttVPVVHình 29Người ta thường dùng UJT làm thành một mạch dao động tạo xung. Dạng mạch và trị số các linh kiện điển hình như sau:

Khi cấp điện, tụ C1 bắt đầu nạp điện qua điện trở RE. (Diod phát-nền 1 bị phân cực nghịch, dòng điện phát IE xấp xỉ bằng không). Điện thế hai đầu tụ tăng dần, khi đến điện thế đỉnh VP, UJT bắt đều dẫn điện. Tụ C1 phóng nhanh qua UJT và điện trở R1. Điện thế hai đầu tụ (tức VE) giảm nhanh đến điện thế thung lũng VV. Đến đây UJT bắt đầu ngưng và chu kỳ mới lập lại.

Hình 30220V/50HzTải* Dùng UJT tạo xung kích cho SCR

- Bán kỳ dương nếu có xung đưa vào cực cổng thì SCR dẫn điện. Bán kỳ âm SCR ngưng.

- Điều chỉnh góc dẫn của SCR bằng cách thay đổi tần số dao động của UJT.

Put (programmable unijunction transistor).

Như tên gọi, PUT giống như một UJT có đặc tính thay đổi được. Tuy vậy về cấu tạo, PUT khác hẳn UJT

NNAnodAKCatodPPG CổngG CổngAnodAKCatodCấu tạoKý hiệuPhân cực

Hình 31

Để ý là cổng G nằm ở vùng N gần anod nên để PUT dẫn điện, ngoài việc điện thế anod lớn hơn điện thế catod, điện thế anod còn phải lớn hơn điện thế cổng một điện thế ngưỡng của nối PN.

Ta có: V GK = R B1 R B1 + R B2 V BB = ηV BB size 12{V rSub { size 8{ ital "GK"} } = { {R rSub { size 8{B1} } } over {R rSub { size 8{B1} } +R rSub { size 8{B2} } } } V rSub { size 8{ ital "BB"} } =ηV rSub { size 8{ ital "BB"} } } {}

Trong đó: η = R B1 R B1 + R B2 size 12{η= { {R rSub { size 8{B1} } } over {R rSub { size 8{B1} } +R rSub { size 8{B2} } } } } {} như được định nghĩa trong UJT

Tuy nhiên, nên nhớ là UJT, RB1và RB2 là điện trở nội của UJT, Trong lúc ở PUT, RB1 và RB2 là các điện trở phân cực bên ngoài.

VAK0IPIVIAVPVùng điện trở âmHình 32Đặc tuyến của dòng IA theo điện thế cổng VAK cũng giống như ở UJT

Điện thế đỉnh VP được tính bởi: VP = VD+VBB

mà VD = 0,7V (thí dụ Si)

VG = VBB  VP = VG + 0,7V

Tuy PUT và UJT có đặc tính giống nhau nhưng dòng điện đỉnh và thung lũng của PUT nhỏ hơn UJT

tVA0VPVV

KXảNạpHình 33+ Mạch dao động thư giãn dùng PUT

Chú ý trong mạch dùng PUT, ngõ xả của tụ điện là anod. Tín hiệu ra được sử dụng thường lấy ở catod (và có thể dùng kích SCR như ở UJT)

VGVKttVK = VBBVK = VP-VVHình 3434

Questions & Answers

what does nano mean?
Anassong Reply
nano basically means 10^(-9). nanometer is a unit to measure length.
Bharti
do you think it's worthwhile in the long term to study the effects and possibilities of nanotechnology on viral treatment?
Damian Reply
absolutely yes
Daniel
how to know photocatalytic properties of tio2 nanoparticles...what to do now
Akash Reply
it is a goid question and i want to know the answer as well
Maciej
characteristics of micro business
Abigail
for teaching engĺish at school how nano technology help us
Anassong
Do somebody tell me a best nano engineering book for beginners?
s. Reply
what is fullerene does it is used to make bukky balls
Devang Reply
are you nano engineer ?
s.
fullerene is a bucky ball aka Carbon 60 molecule. It was name by the architect Fuller. He design the geodesic dome. it resembles a soccer ball.
Tarell
what is the actual application of fullerenes nowadays?
Damian
That is a great question Damian. best way to answer that question is to Google it. there are hundreds of applications for buck minister fullerenes, from medical to aerospace. you can also find plenty of research papers that will give you great detail on the potential applications of fullerenes.
Tarell
what is the Synthesis, properties,and applications of carbon nano chemistry
Abhijith Reply
Mostly, they use nano carbon for electronics and for materials to be strengthened.
Virgil
is Bucky paper clear?
CYNTHIA
so some one know about replacing silicon atom with phosphorous in semiconductors device?
s. Reply
Yeah, it is a pain to say the least. You basically have to heat the substarte up to around 1000 degrees celcius then pass phosphene gas over top of it, which is explosive and toxic by the way, under very low pressure.
Harper
Do you know which machine is used to that process?
s.
how to fabricate graphene ink ?
SUYASH Reply
for screen printed electrodes ?
SUYASH
What is lattice structure?
s. Reply
of graphene you mean?
Ebrahim
or in general
Ebrahim
in general
s.
Graphene has a hexagonal structure
tahir
On having this app for quite a bit time, Haven't realised there's a chat room in it.
Cied
what is biological synthesis of nanoparticles
Sanket Reply
what's the easiest and fastest way to the synthesize AgNP?
Damian Reply
China
Cied
types of nano material
abeetha Reply
I start with an easy one. carbon nanotubes woven into a long filament like a string
Porter
many many of nanotubes
Porter
what is the k.e before it land
Yasmin
what is the function of carbon nanotubes?
Cesar
I'm interested in nanotube
Uday
what is nanomaterials​ and their applications of sensors.
Ramkumar Reply
what is nano technology
Sravani Reply
what is system testing?
AMJAD
preparation of nanomaterial
Victor Reply
how did you get the value of 2000N.What calculations are needed to arrive at it
Smarajit Reply
Privacy Information Security Software Version 1.1a
Good
Got questions? Join the online conversation and get instant answers!
QuizOver.com Reply

Get the best Algebra and trigonometry course in your pocket!





Source:  OpenStax, Mạch điện tử. OpenStax CNX. Aug 07, 2009 Download for free at http://cnx.org/content/col10892/1.1
Google Play and the Google Play logo are trademarks of Google Inc.

Notification Switch

Would you like to follow the 'Mạch điện tử' conversation and receive update notifications?

Ask