<< Chapter < Page Chapter >> Page >

I = I 0 e V ηV T 1 size 12{I=I rSub { size 8{0} } left [e rSup { size 8{ { {V} over {ηV rSub { size 6{T} } } } } } - 1 right ]} {}

Với  = 1 khi mối nối là Ge

 = 2 khi mối nối là Si

Nối p-n khi được phân cực nghịch:

Khi nối P-N được phân cực nghịch, rào điện thế tăng một lượng V. Lỗ trống và điện tử không thể khuếch tán ngang qua mối nối. Tuy nhiên, dưới tác dụng của nhiệt, một số ít điện tử và lỗ trống được sinh ra trong vùng hiếm tạo ra một dòng điện có chiều từ vùng N sang vùng P. Vì điện tử và lỗ trống sinh ra ít nên dòng điện ngược rất nhỏ, thường chừng vài chục A hay nhỏ hơn. Để ý là dòng điện ngược này là một hàm số của nhiệt độ.

Người ta cũng chứng minh được trong trường hợp nối P-N phân cực nghịch với hiệu điện thế V<0, dòng điện qua nối là:

I = I 0 e V ηV T 1 size 12{I=I rSub { size 8{0} } left [e rSup { size 8{ { {V} over {ηV rSub { size 6{T} } } } } } - 1 right ]} {}

I0 cũng có trị số:

I 0 = A . e . D P L P . p no + D n L n . n po size 12{I rSub { size 8{0} } =A "." e "." left [ { {D rSub { size 8{P} } } over {L rSub { size 8{P} } } } "." p rSub { size 8{ ital "no"} } + { {D rSub { size 8{n} } } over {L rSub { size 8{n} } } } "." n rSub { size 8{ ital "po"} } right ]} {}

Thông thường, e V ηV T << 1 size 12{e rSup { size 8{ { {V} over {ηV rSub { size 6{T} } } } } } "<<"1} {} nên I # I0

Thí dụ: Xem mạch sau đây

D1 và D2 là 2 nối P-N Si. Tìm điện thế V1 và V2 xuyên qua nối.

Giải: Dòng điện qua 2 nối P-N là như nhau. Chú ý là dòng điện qua D2 là dòng thuận và dòng qua D1 là dòng nghịch.

Vậy: I = I 0 e V ηV T 1 = I 0 size 12{I=I rSub { size 8{0} } left [e rSup { size 8{ { {V} over {ηV rSub { size 6{T} } } } } } - 1 right ]=I rSub {0} } {} với  = 2 và VT = 0,026V

e V 2 0, 052 = 2 size 12{ drarrow e rSup { size 8{ { {V rSub { size 6{2} } } over {0,"052"} } } } =2} {}

V 2 = 0, 693 . 0, 052 = 0, 036 ( V ) size 12{ drarrow V rSub { size 8{2} } =0,"693" "." 0,"052"=0,"036" \( V \) } {}

Do đó, điện thế ngang qua nối phân cực nghịch là:

V1 = 5–V2 =5 – 0,036 = 4,964 (V)

I0 là dòng điện bảo hòa ngược. Dòng điện trong nối P-N có thể diễn tả bằng đồ thị sau đây, được gọi là đặc tuyến V-I của nối P-N.

Khi hiệu thế phân cực thuận còn nhỏ, dòng điện I tăng chậm. Khi hiệu thế phân cực thuận đủ lớn, dòng điện I tăng nhanh trong lúc hiệu điện thế hai đầu mối nối tăng rất ít.

Khi hiệu thế phân cực nghịch còn nhỏ, chỉ có 1 dòng điện rỉ I0 chạy qua. Khi hiệu điện thế phân cực nghịch đủ lớn, những hạt tải điện sinh ra dưới tác dụng của nhiệt được điện trường trong vùng hiếm tăng vận tốc và có đủ năng lượng rứt nhiều điện tử khác từ các nối hóa trị. Cơ chế này cứ chồng chất, sau cùng ta có một dòng điện ngược rất lớn, ta nói nối P-N ở trung vùng phá hủy theo hiện tượng tuyết đổ (avalanche).

Ảnh hưởng của nhiệt độ lên nối p-n:

1. Dòng điện bảo hòa ngược I0 tùy thuộc vào nồng độ chất pha, diện tích mối nối và nhất là nhiệt độ.

Thông thường ta thấy rằng I0 sẽ tăng lên gấp đôi khi nhiệt độ mối nối tăng lên 100C

I 0 ( t 0 C ) = I 0 ( 25 0 C ) . 2 t 25 10 size 12{I rSub { size 8{0} } \( t rSup { size 8{0} } C \) =I rSub { size 8{0} } \( "25" rSup { size 8{0} } C \) "." 2 rSup { size 8{ { { {} rSup { size 6{t - "25"} } } over {"10"} } } } } {} với t là nhiệt độ (0C)

Hình sau đây mô tả sự biến thiên của dòng điện bảo hòa ngược theo nhiệt độ.

Thí dụ: 1N914B là diode Si chuyển mạch nhanh có dòng bảo hòa ngược I0=25nA ở 250C. Tìm I0 ở 1000C.

Áp dụng: I 0 ( t 0 C ) = I 0 ( 25 0 C ) . 2 t 25 10 size 12{I rSub { size 8{0} } \( t rSup { size 8{0} } C \) =I rSub { size 8{0} } \( "25" rSup { size 8{0} } C \) "." { {2 rSup { size 8{t - "25"} } } over {"10"} } } {}

= 25 nA . 2 100 25 10 size 12{ {}="25" ital "nA" "." { {2 rSup { size 8{"100" - "25"} } } over {"10"} } } {}

= 25 nA . 181 size 12{ {}="25" ital "nA" "." "181"} {}

I 0 ( 100 0 C ) = 4, 525 μA size 12{ drarrow I rSub { size 8{0} } \( "100" rSup { size 8{0} } C \) =4,"525"μA} {}

2. Tính chất của nối P-N khi phân cực thuận cũng thay đổi theo nhiệt độ.

Khi nhiệt độ của nối P-N tăng, điện thế thềm của mối nối giảm (nối dễ dẫn điện hơn). Người ta thấy rằng, khi nhiệt độ tăng lên 10C điện thế thềm giảm 1,8mV ở diode Si và giảm 2,02mV ở diode Ge. Một cách tổng quát có thể coi như điện thế thềm giảm 2mV khi nhiệt độ tăng lên 10C.

ΔV D Δt = 2 mV / 0 C size 12{ { {ΔV rSub { size 8{D} } } over {Δt} } = - 2 ital "mV"/ rSup { size 8{0} } C} {}

3. Nhiệt độ của nối P-N cũng quyết định điện thế sụp đổ. Nếu nhiệt độ tăng lên đến một trị nào đó thì điện thế sụp đổ sẽ giảm xuống rất nhỏ và mối nối P-N không còn sử dụng được nữa. Nhiệt độ này là 1500C đối với Si và 850C đối với Ge.

Nội trở của nối p-n.

Người ta thường chú ý đến hai loại nội trở của nối P-N

Nội trở tĩnh: (static resistance).

Nội trở tĩnh là điện trở nội của nối P-N trong mạch điện một chiều. Người ta định nghĩa điện trở một chiều ở một điểm phân cực là tỉ số V/I ở điểm đó.

Get Jobilize Job Search Mobile App in your pocket Now!

Get it on Google Play Download on the App Store Now




Source:  OpenStax, Mạch điện tử. OpenStax CNX. Aug 07, 2009 Download for free at http://cnx.org/content/col10892/1.1
Google Play and the Google Play logo are trademarks of Google Inc.

Notification Switch

Would you like to follow the 'Mạch điện tử' conversation and receive update notifications?

Ask