<< Chapter < Page Chapter >> Page >

Nội trở của nối tại điểm Q là:

R D = V I size 12{R rSub { size 8{D} } = { {V} over {I} } } {}

Khi nối P-N phân cực thuận càng mạnh, dòng điện I càng lớn trong lúc điện thế V gần như không đổi nên nội trở càng nhỏ.

Nội trở động của nối p-n: (dynamic resistance)

Giả sử dòng dòng điện ngang qua nối P-N là IQ tương ứng với một điện thế phân cực thuận VQ.

Khi V biến thiên một lượng V từ trị số VQ thì I cũng biến thiên một lượng tương ứng I từ trị số IQ. Tỉ số ΔI ΔV size 12{ { {ΔI} over {ΔV} } } {} bằng với độ dốc của tiếp tuyến tại điểm Q với đặc tuyến của nối P-N.

Đặt: ΔI ΔV = 1 r d size 12{ { {ΔI} over {ΔV} } = { {1} over {r rSub { size 8{d} } } } } {} ;rd được gọi là điện trở động của nối P-N khi phân cực thuận.

Với tín hiệu u nhỏ, ta có:

r d = ΔV ΔI = dV dI Q size 12{r rSub { size 8{d} } = { {ΔV} over {ΔI} } = { { ital "dV"} over { ital "dI"} } \rline rSub { size 8{Q} } } {}

Với I = I 0 . e V ηV T 1 size 12{I=I rSub { size 8{0} } "." left [e rSup { size 8{ { {V} over {ηV rSub { size 6{T} } } } } } - 1 right ]} {}

Suy ra:

dI dV = I 0 1 ηV T . e V ηV T size 12{ { { ital "dI"} over { ital "dV"} } =I rSub { size 8{0} } left [ { {1} over {ηV rSub { size 8{T} } } } "." e rSup { size 8{ { {V} over {ηV"" lSub { size 6{T} } } } } } right ]} {}

Ngoài ra,

I = I 0 . e V ηV T 1 = I 0 . e V ηV T I 0 size 12{I=I rSub { size 8{0} } "." left [e rSup { size 8{ { {V} over {ηV rSub { size 6{T} } } } } } - 1 right ]=I rSub {0} size 12{ "." e rSup { { {V} over {ηV rSub { size 6{T} } } } } } size 12{ - I rSub {0} }} {}

Hay I + I 0 = I 0 . e V ηV T size 12{I+I rSub { size 8{0} } =I rSub { size 8{0} } "." e rSup { size 8{ { {V} over {ηV rSub { size 6{T} } } } } } } {}

Do đó, dI dV = I + I 0 ηV T size 12{ { { ital "dI"} over { ital "dV"} } = { {I+I rSub { size 8{0} } } over {ηV rSub { size 8{T} } } } } {}

Và điện trở động là:

r d = dI dV = ηV T I + I 0 size 12{r rSub { size 8{d} } = { { ital "dI"} over { ital "dV"} } = { {ηV rSub { size 8{T} } } over {I+I rSub { size 8{0} } } } } {}

Thông thường, I >> I 0 size 12{I">>"I rSub { size 8{0} } } {} nên r d = ηV T I size 12{r rSub { size 8{d} } = { {ηV rSub { size 8{T} } } over {I} } } {}

Ở nhiệt độ bình thường (250C), VT = 26mV, điện trở động là:

r d = η . 26 mV I ( mA ) size 12{r rSub { size 8{d} } = { {η "." "26" ital "mV"} over {I \( ital "mA" \) } } } {}

Với dòng điện I khá lớn, =1, điện trở động rd có thể được tính theo công thức:

r d = 26 mV I ( mA ) size 12{r rSub { size 8{d} } = { {"26" ital "mV"} over {I \( ital "mA" \) } } } {}

Ở nhiệt độ bình thường, nếu IQ = 100mA thì rd = 0,26. Trong một nối P-N thực, vì có tiếp trở giữa các mối nối, điện trở giữa hai vùng bán dẫn P và N nên điện trở động thực sự lớn hơn nhiều so với trị số tính được, thông thường khoảng vài chục .

Đây cũng chính là kiểu mẫu của Diode với tín hiệu nhỏ. Người ta cũng định nghĩa điện trở động khi phân cực nghịch

r r = dV dI Q size 12{r rSub { size 8{r} } = { { ital "dV"} over { ital "dI"} } \rline rSub { size 8{Q} } } {}

Vì độ dốc của tiếp tuyến tại Q khi nối P-N phân cực nghịch rất nhỏ nên điện trở động rr rất lớn, hàng M.

Điện dung của nối p-n.

Điện dung chuyển tiếp (điện dung nối)

Khi nối P-N được phân cực nghịch, vùng hiếm được nới rộng do có sự gia tăng điện tích trong vùng này. Với một sự biến thiên V của hiệu điện thế phân cực nghịch, điện tích trong vùng hiếm tăng một lượng Q. Vùng hiếm có tác dụng như một tụ điện gọi là điện dung chuyển tiếp CT.

C T = ΔQ ΔV = ε . A W d size 12{C rSub { size 8{T} } = lline { {ΔQ} over {ΔV} } = { {ε "." A} over {W rSub { size 8{d} } } } rline } {}

Trong đó,  là hằng số điện môi của chất bán dẫn, A là điện tích của nối P-N và Wd là độ rộng của vùng hiếm.

Khi điện thế phân cực nghịch thay đổi, độ rộng của vùng hiếm thay đổi nên điện dung chuyển tiếp CT cũng thay đổi. Người ta chứng minh được CT có trị số:

C T = K V 0 + V R n size 12{C rSub { size 8{T} } = { {K} over { left (V rSub { size 8{0} } +V rSub { size 8{R} } right ) rSup { size 8{n} } } } } {}

Trong đó, K là hằng số tùy thuộc vào chất bán dẫn và kỹ thuật chế tạo. V0 là rào điện thế của nối P-N (Si là 0,7V và Ge là 0,3V). VR là điện thế phân cực nghịch. n = 1 3 size 12{n= { {1} over {3} } } {} trong trường hợp nối P-N là dốc lài (linearly graded juntion) và n = 1 2 size 12{n= { {1} over {2} } } {} trong trường hợp nối P-N thuộc loại dốc đứng (brupt juntion).

Nếu gọi Cj(0) là trị số của CT đo được khi VR=0, ta có:

C T = C j ( 0 ) 1 + V R V 0 n size 12{C rSub { size 8{T} } = { {C rSub { size 8{j} } \( 0 \) } over { left (1+ { {V rSub { size 8{R} } } over {V rSub { size 8{0} } } } right ) rSup { size 8{n} } } } } {}

Trong các nối P-N thông thường, CT có trị số từ 5pF đến 100pF

Điện dung khuếch tán. (difusion capacitance)

Khi nối P-N được phân cực thuận, lỗ trống được khuếch tán từ vùng P sang vùng N và điện tử khuếch tán từ vùng N sang vùng P. Sự phân bố các hạt tải điện thiểu số ở hai bên vùng hiếm tạo nên một điện dung gọi là điện dung khuếch tán CD.. Người ta chứng minh được điện dung khuếch tán CDtỉ lệ với dòng điện qua nối P-N theo công thức:

C D = τI ηV T size 12{C rSub { size 8{D} } = { {τI} over {ηV rSub { size 8{T} } } } } {}

Trong đó, τ = τ P = L P 2 D P size 12{τ=τ rSub { size 8{P} } = { {L rSub { size 8{P} } rSup { size 8{2} } } over {D rSub { size 8{P} } } } } {} , là đời sống trung bình của lỗ trống;  = 2 đối với nối P-N là Si, =1 đối với nối P-N là Ge.

Thông thường, CD có trị số từ 2000pF đến 15000pF.

Questions & Answers

can someone help me with some logarithmic and exponential equations.
Jeffrey Reply
sure. what is your question?
okay, so you have 6 raised to the power of 2. what is that part of your answer
I don't understand what the A with approx sign and the boxed x mean
it think it's written 20/(X-6)^2 so it's 20 divided by X-6 squared
I'm not sure why it wrote it the other way
I got X =-6
ok. so take the square root of both sides, now you have plus or minus the square root of 20= x-6
oops. ignore that.
so you not have an equal sign anywhere in the original equation?
Commplementary angles
Idrissa Reply
im all ears I need to learn
right! what he said ⤴⤴⤴
what is a good calculator for all algebra; would a Casio fx 260 work with all algebra equations? please name the cheapest, thanks.
Kevin Reply
a perfect square v²+2v+_
Dearan Reply
kkk nice
Abdirahman Reply
algebra 2 Inequalities:If equation 2 = 0 it is an open set?
Kim Reply
or infinite solutions?
The answer is neither. The function, 2 = 0 cannot exist. Hence, the function is undefined.
Embra Reply
if |A| not equal to 0 and order of A is n prove that adj (adj A = |A|
Nancy Reply
rolling four fair dice and getting an even number an all four dice
ramon Reply
Kristine 2*2*2=8
Bridget Reply
Differences Between Laspeyres and Paasche Indices
Emedobi Reply
No. 7x -4y is simplified from 4x + (3y + 3x) -7y
Mary Reply
is it 3×y ?
Joan Reply
J, combine like terms 7x-4y
Bridget Reply
im not good at math so would this help me
Rachael Reply
I'm not good at math so would you help me
what is the problem that i will help you to self with?
how do you translate this in Algebraic Expressions
linda Reply
Need to simplify the expresin. 3/7 (x+y)-1/7 (x-1)=
Crystal Reply
. After 3 months on a diet, Lisa had lost 12% of her original weight. She lost 21 pounds. What was Lisa's original weight?
Chris Reply
what's the easiest and fastest way to the synthesize AgNP?
Damian Reply
types of nano material
abeetha Reply
I start with an easy one. carbon nanotubes woven into a long filament like a string
many many of nanotubes
what is the k.e before it land
what is the function of carbon nanotubes?
what is nanomaterials​ and their applications of sensors.
Ramkumar Reply
what is nano technology
Sravani Reply
what is system testing?
preparation of nanomaterial
Victor Reply
Yes, Nanotechnology has a very fast field of applications and their is always something new to do with it...
Himanshu Reply
good afternoon madam
what is system testing
what is the application of nanotechnology?
In this morden time nanotechnology used in many field . 1-Electronics-manufacturad IC ,RAM,MRAM,solar panel etc 2-Helth and Medical-Nanomedicine,Drug Dilivery for cancer treatment etc 3- Atomobile -MEMS, Coating on car etc. and may other field for details you can check at Google
anybody can imagine what will be happen after 100 years from now in nano tech world
after 100 year this will be not nanotechnology maybe this technology name will be change . maybe aftet 100 year . we work on electron lable practically about its properties and behaviour by the different instruments
name doesn't matter , whatever it will be change... I'm taking about effect on circumstances of the microscopic world
how hard could it be to apply nanotechnology against viral infections such HIV or Ebola?
silver nanoparticles could handle the job?
not now but maybe in future only AgNP maybe any other nanomaterials
can nanotechnology change the direction of the face of the world
Prasenjit Reply
At high concentrations (>0.01 M), the relation between absorptivity coefficient and absorbance is no longer linear. This is due to the electrostatic interactions between the quantum dots in close proximity. If the concentration of the solution is high, another effect that is seen is the scattering of light from the large number of quantum dots. This assumption only works at low concentrations of the analyte. Presence of stray light.
Ali Reply
the Beer law works very well for dilute solutions but fails for very high concentrations. why?
bamidele Reply
how did you get the value of 2000N.What calculations are needed to arrive at it
Smarajit Reply
Privacy Information Security Software Version 1.1a
Got questions? Join the online conversation and get instant answers!
QuizOver.com Reply

Get the best Algebra and trigonometry course in your pocket!

Source:  OpenStax, Mạch điện tử. OpenStax CNX. Aug 07, 2009 Download for free at http://cnx.org/content/col10892/1.1
Google Play and the Google Play logo are trademarks of Google Inc.

Notification Switch

Would you like to follow the 'Mạch điện tử' conversation and receive update notifications?