0.6 Linh kiện có 4 lớp bán dẫn pnpnn và những linh kiện khác  (Page 6/6)

Như vây ta nhận thấy:

- Dòng đỉnh IP là dòng tối thiểu của cực phát E để đặt UJT hoạt động trong vùng điện trở âm. Dòng điện thung lũng IV là dòng điện tối đa của IE trong vùng điện trở âm.

- Tương tự, điện thế đỉnh VP là điện thế thung lũng VV là điện thế tối đa và tối thiểu của VEB1 đặt UJT trong vùng điện trở âm.

Trong các ứng dụng của UJT, người ta cho UJT hoạt động trong vùng điện trở âm, muốn vậy, ta phải xác định điện trở RE để IP<IE<IV

Q

Ta có: $R_{E\text{max}}=-\frac{\mathrm{\Delta V}}{\mathrm{\Delta I}}=-\frac{V_{\text{BB}}-V_P}{0-I_P}=\frac{V_{\text{BB}}-V_P}{I_P}$

Và $R_{E\text{min}}=-\frac{\mathrm{\Delta V}}{\mathrm{\Delta I}}=-\frac{V_{\text{BB}}-V_V}{0-\text{IV}}=\frac{V_{\text{BB}}-V_V}{I_V}$

Như vậy:

Các thông số kỹ thuật của ujt và vấn đề ổn định nhiệt cho đỉnh:

Sau đây là các thông số của UJT:

- Điện trở liên nền RBB: là điện trở giữa hai cực nên khi cực phát để hở. RBB tăng khi nhiệt độ tăng theo hệ số 0,8%/1oC

- Tỉ số nội tại: $\eta =\frac{R_{\mathrm{B1}}}{R_{\mathrm{B1}}+R_{\mathrm{B2}}}=\frac{R_{\mathrm{B1}}}{R_{\text{BB}}}$ Tỉ số này cũng được định nghĩa khi cực phát E để hở.

- Điện thế đỉnh VP và dòng điện đỉnh IP. VP giảm khi nhiệt độ tăng vì điện thế ngưỡng của nối PN giảm khi nhiệt độ tăng. Dòng IP giảm khi VBB tăng.

- Điện thế thung lũng VV và dòng điện thung lũng IV. Cả VV và IV đều tăng khi VBB tăng.

- Điện thế cực phát bảo hòa VEsat: là hiệu điện thế giữa cực phát E và cực nền B1 được đo ở IE=10mA hay hơn và VBB ở 10V. Trị số thông thường của VEsat là 4 volt (lớn hơn nhiều so với diod thường).

Ổn định nhiệt cho đỉnh: Điện thế đỉnh VP là thông số quan trọng nhất của UJT. Như đã thấy, sự thay đổi của điện thế đỉnh VP chủ yếu là do điện thế ngưỡng của nối PN vì tỉ số  thay đổi không đáng kể.

Khi nhiệt độ tăng, điện trở liên nền RBB tăng nên điện thế liên nền VB2B1 tăng. Chọn R2 sao cho sự tăng của VB2B1 bù trừ sự giảm của điện thế ngưỡng của nối PN. Trị của R2 được chọn gần đúng theo công thức: $R_2\approx \frac{(\mathrm{0,4}\to \mathrm{0,8})R_{\text{BB}}}{{\mathrm{\eta V}}_{\text{BB}}}$

Ngoài ra R2 còn phụ thuộc vào cấu tạo của UJT. Trị chọn theo thực nghiệm khoảng vài trăm ohm.

Ứng dụng đơn giản của ujt:

Mạch dao động thư giãn (relaxation oscillator)

Khi cấp điện, tụ C1 bắt đầu nạp điện qua điện trở RE. (Diod phát-nền 1 bị phân cực nghịch, dòng điện phát IE xấp xỉ bằng không). Điện thế hai đầu tụ tăng dần, khi đến điện thế đỉnh VP, UJT bắt đều dẫn điện. Tụ C1 phóng nhanh qua UJT và điện trở R1. Điện thế hai đầu tụ (tức VE) giảm nhanh đến điện thế thung lũng VV. Đến đây UJT bắt đầu ngưng và chu kỳ mới lập lại.

- Bán kỳ dương nếu có xung đưa vào cực cổng thì SCR dẫn điện. Bán kỳ âm SCR ngưng.

- Điều chỉnh góc dẫn của SCR bằng cách thay đổi tần số dao động của UJT.

Put (programmable unijunction transistor).

Như tên gọi, PUT giống như một UJT có đặc tính thay đổi được. Tuy vậy về cấu tạo, PUT khác hẳn UJT

NNAnodAKCatodPPG CổngG CổngAnodAKCatodCấu tạoKý hiệuPhân cực

Để ý là cổng G nằm ở vùng N gần anod nên để PUT dẫn điện, ngoài việc điện thế anod lớn hơn điện thế catod, điện thế anod còn phải lớn hơn điện thế cổng một điện thế ngưỡng của nối PN.

Ta có: $V_{\text{GK}}=\frac{R_{\mathrm{B1}}}{R_{\mathrm{B1}}+R_{\mathrm{B2}}}{V}_{\text{BB}}={\mathrm{\eta V}}_{\text{BB}}$

Trong đó: $\eta =\frac{R_{\mathrm{B1}}}{R_{\mathrm{B1}}+R_{\mathrm{B2}}}$ như được định nghĩa trong UJT

Tuy nhiên, nên nhớ là UJT, RB1và RB2 là điện trở nội của UJT, Trong lúc ở PUT, RB1 và RB2 là các điện trở phân cực bên ngoài.

VAK0IPIVIAVPVùng điện trở âmHình 32Đặc tuyến của dòng IA theo điện thế cổng VAK cũng giống như ở UJT

Điện thế đỉnh VP được tính bởi: VP = VD+VBB

mà VD = 0,7V (thí dụ Si)

VG = VBB  VP = VG + 0,7V

Tuy PUT và UJT có đặc tính giống nhau nhưng dòng điện đỉnh và thung lũng của PUT nhỏ hơn UJT

tVA0VPVV

Chú ý trong mạch dùng PUT, ngõ xả của tụ điện là anod. Tín hiệu ra được sử dụng thường lấy ở catod (và có thể dùng kích SCR như ở UJT)

VGVKttVK = VBBVK = VP-VVHình 3434